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    • 专利摘要:
    提供一種超音波洗淨裝置及超音波洗淨方法，係可抑制對被洗淨基板造成損傷，此外可對電子產業界等所使用之高精密度的基板等進行高清淨度的洗淨。以位於從超音波振動子的振動面延伸的垂線到液面為止所形成的區域(超音波照射區域)外之洗淨液的液面下附近的方式保持被洗淨物，藉由超音波使表面張力波在洗淨液的表面激起，不直接對被洗淨物照射超音波，藉由表面張力波所形成的音壓將被洗淨物之微粒子污染物剝離，以抑制對被洗淨基板造成損傷。
    公开号:TW201302330A
    申请号:TW101117482
    申请日:2012-05-16
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Kazunari Suzuki
    申请人:Kaijo Kk；
    IPC主号:B08B3-00
    专利说明:
    超音波洗淨裝置及超音波洗淨方法
    本發明是關於超音波洗淨裝置及超音波洗淨方法，尤其是關於不會對被洗淨物造成損傷，可高清淨度的洗淨之超音波洗淨裝置及超音波洗淨方法。
    電子產業界之玻璃基板或矽晶圓基板的洗淨要求較高的清淨度。就洗淨這種基板等的被洗淨物之方法而言，包括有將複數片基板浸泡在洗淨液中之浸泡方式或對基板噴射洗淨液而逐片洗淨處理之單片方式；近年大多採用可高清淨度的洗淨且成本上有利的單片方式。浸泡方式、單片方式皆為在洗淨液中施加超音波振動，藉由該振動作用將微粒子污染物從被洗淨物除去之洗淨方式，使超音波洗淨被實用化。
    例如，浸泡方式的超音波洗淨係朝向浸泡在裝滿洗淨液的容器內之基板等的被洗淨物施加超音波振動。超音波振動在液體中傳播時產生的微小氣泡(空蝕氣泡(cavitation bubble))，因應於超音波振動的正負週期振動，將其周圍存在的微粒子污染物除去。然而，超音波振動的振幅變大，在正週期氣泡會消滅，此時所產生衝擊波對被洗淨物造成損傷。尤其100 kHz以下的低頻超音波中超音波振動較大，易於對被洗淨物造成損傷。因而，電子產業界之玻璃基板或矽晶圓的洗淨，使用超音波振動的振幅較小的400 kHz以上之高頻的超音波。
    另外，日本專利文獻1至日本專利文獻4中揭載單片方式的超音波洗淨。日本專利文獻1的超音波洗淨係洗淨液導入內部設有超音波發振體之頭部內，洗淨液從頭部供應至被洗淨物側落下到洗淨液槽，再者被洗淨物從洗淨液槽垂直向上方一面拉起一面移動。藉由頭部之洗淨液的供應及施加超音波，使彈性表面波或板波對被洗淨物激起振動，在接觸到被洗淨物的表面之洗淨液產生流動力，其水流分布在表面附近成為很大的流速。如此，藉由彈性表面波或板波將附著在被洗淨物的上面之微粒子污染物剝離。
    日本專利文獻2係對被供應至上部開口的容器內之洗淨液施加超音波振動，從水平面上將洗淨液向上推動。在基板等的被洗淨物的下面接觸到從水平面上向上推動之洗淨液的狀態下，將被洗淨物向水平方向移動。同時從被洗淨物的上面供應洗淨液。從被洗淨物的下面施加之超音波的一部分穿過被洗淨物的上面，對附著在被洗淨物的上面之微粒子污染物產生作用，進行洗淨處理。
    日本專利文獻3係將具有與浸泡在裝滿洗淨液的容器內之被洗淨物同等程度的放射面積之振動子平行地配置，朝向被洗淨物的下面施加超音波振動。此時，超音波振動的一部分穿過被洗淨物，對附著在被洗淨基板的上面之微粒子污染物產生作用，將被洗淨基板的兩面同時洗淨。藉此，縮短被洗淨物的洗淨時間。
    另外，日本專利文獻4中揭載第16圖所示的處理裝置。如第16圖所示，在室300的上部兩端以對液面傾斜的方式配置超音波振動變換器304，使基板S利用基板支撐凹槽302向垂直方向移動。另外，由室300的底部供應洗淨液，使洗淨液經由室300上部的堤頂落下。一面使基板S利用基板支撐凹槽302向垂直方向移動，一面直接照射超音波振動變換器304的能量E，以進行基板的洗淨。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
    〔專利文獻1〕日本專利特開平10-309548號公報
    〔專利文獻2〕日本專利特開平10-106998號公報
    〔專利文獻3〕國際公佈WO00/21692號公報
    〔專利文獻4〕日本專利特表2005-512340號公報
    然而，將習知的複數片基板同時洗淨處理之浸泡方式的超音波洗淨，雖洗淨液沿著被洗淨物的表面流動，但數微米以下之幾乎不流動的層仍沿著界面存在。因而，會有附著在被洗淨物的表面之污染物並未完全除去的問題點。施加超音波雖以攪亂被洗淨物之表面附近的洗淨液層之手段有效，但對於超音波振動之振幅很小大致1MHz程度的超音波，會有無法完全洗淨的問題點。
    再者，往細微化進展之半導體元件，已有報告即使是超音波振動的振幅很小大致1MHz程度的超音波仍會造成損傷。日本專利文獻1至日本專利文獻4所揭載之習知的單片洗淨方法，皆為直接對不具細微圖案之被洗淨物的反面側施加超音波，使被洗淨物本身振動，超音波能量也會傳播到基板表面的細微元件。因而，往細微化進展之半導體元件，恐會有即使是超音波振動的振幅很小大致1MHz程度的超音波仍會受到超音波振動的影響而造成損傷之虞。
    於是，本發明之目的為提供一種超音波洗淨裝置及超音波洗淨方法，係以位於從超音波振動子的振動面延伸的垂線到液面為止所形成的區域(超音波照射區域)外之洗淨液的液面下附近的方式保持被洗淨物，藉由超音波使表面張力波在洗淨液的表面激起，不直接對被洗淨物照射超音波，藉由表面張力波所形成的音壓將被洗淨物之微粒子污染物剝離，可抑制對被洗淨基板造成損傷，此外可對電子產業界等所使用之高精密度的基板進行高清淨度的洗淨。
    為了要達成上述目標，一種本發明的種超音波洗淨裝置之特徵為具有：洗淨槽，係貯存洗淨液，浸泡被洗淨物；超音波振動子，係產生超音波振動；振動板，係將前述超音波振動子的超音波振動加諸在前述洗淨液；以及超音波發振器，係驅動前述超音波振動子；前述被洗淨物係以位於從前述超音波振動子的振動面延伸的垂線到液面為止所形成的區域外的方式保持，進行被洗淨物的洗淨。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，前述被洗淨物保持在來自前述超音波振動子的超音波之平面波不會直接碰到的位置。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，驅動前述超音波振動子藉由前述振動板朝向前述洗淨槽之洗淨液的液面施加超音波，使表面張力波在前述洗淨液的液面產生。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，藉由前述洗淨液的液面之前述表面張力波進行被洗淨物的洗淨。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，以前述洗淨液朝向與前述表面張力波的傳播方向相同的方向流動的方式供應洗淨液。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，前述被洗淨物至前述洗淨液的液面之距離為10mm以下。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，前述被洗淨物係以與前述洗淨槽之洗淨液的液面成平行地位於前述淨液的液面附近的方式保持。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，前述超音波振動子及前述振動板係以與前述洗淨液的液面成平行的方式設置。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，前述超音波振動子及前述振動板係以對洗淨液的液面具有斜度的方式設置。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，將前述振動板配置在前述洗淨槽的整個底部，驅動超音波振動子之前述超音波發振器係具備發振電路、振幅調變電路以及頻率調變電路，以藉由前述振幅調變電路及前述頻率調變電路中至少1個調變電路將前述發振電路之具有頻率400kHz以上的訊號調變之訊號，使前述超音波振動子激起振動，在前述洗淨液中照射超音波進行洗淨。
    另外，如本發明的超音波洗淨裝置，其中，前述超音波振動子係平面視圖上，以圍繞前述被洗淨物的方式配置單數或複數個。
    另外，一種本發明的超音波洗淨方法，係藉由超音波振動將被洗淨物洗淨，該超音波洗淨方法之特徵為具備：超音波振動產生手段，係具有產生超音波振動之超音波振動子及洗淨槽，係安裝有前述超音波振動產生手段，貯存洗淨液，浸泡被洗淨物；前述被洗淨物係以位於從前述超音波振動產生手段之前述超音波振動子的振動面延伸的垂線到液面為止所形成的區域外的方式保持，進行被洗淨物的洗淨。
    另外，如本發明的超音波洗淨方法，其中，前述被洗淨物係保持在來自前述超音波振動產生手段之前述超音波振動子的超音波之平面波不會直接碰到的位置。
    另外，如本發明的超音波洗淨方法，其中，前述驅動超音波振動產生手段之前述超音波振動子而朝向前述洗淨槽之洗淨液的液面施加超音波，使表面張力波在前述洗淨液的液面產生。
    另外，如本發明的超音波洗淨方法，其中，藉由前述洗淨液的液面之前述表面張力波進行被洗淨物的洗淨。
    另外，如本發明的超音波洗淨方法，其中，以前述洗淨液朝向與前述表面張力波的傳播方向相同的方向流動的方式供應洗淨液。
    另外，如本發明的超音波洗淨方法，其中，平面視圖上，以圍繞前述被洗淨物的方式配置單數或複數個。
    本發明係被洗淨物以位於超音波振動子在洗淨槽內超音波照射區域外的方式保持，不直接對被洗淨物照射超音波，進行洗淨，可抑制對被洗淨物造成損傷。
    另外，對接近被洗淨物的表面之洗淨液表面施加超音波以使表面張力波激起，藉由表面張力波所形成的音壓，將微粒子污染物從被洗淨物剝離，可對高精密度的基板等進行高清淨度的洗淨。
    另外，以洗淨液朝向與前述表面張力波的傳播方向相同的方向流動的方式供應洗淨液，可防止從被洗淨物剝離的微粒子污染物再度附著。
    另外，被洗淨物以與洗淨槽之洗淨液的液面成平行地位於前述洗淨液的液面附近的方式保持，被洗淨物至前述洗淨液的液面之距離設成10mm以下，由於洗淨槽的深度也可很淺，故能以少量的洗淨液洗淨。
    另外，本發明係表面張力波沿著被洗淨物的表面傳播到整個被洗淨物，因而不需要洗淨中使被洗淨物移動之移動手段，可簡化超音波洗淨裝置。
    以下，參考圖面說明用以實施本發明的超音波洗淨裝置及超音波洗淨方法的具體例。 <第1實施具體例>
    第1圖為顯示本發明的第1實施具體例之超音波洗淨裝置的構成之圖；第1-1圖為從超音波洗淨裝置的正面看的包括一部分放大圖之剖面圖；第1-2圖為顯示超音波洗淨裝置的構成之平面圖。此外，第1圖所示的超音波洗淨裝置為一種逐片處理矽晶圓之單片式洗淨裝置。如第1-1、1-2圖所示，超音波洗淨裝置1具有：洗淨槽，係貯存洗淨液10；洗淨液供應口7(第1-1圖所示)，係設置在洗淨槽4的側面；洗淨液排出口8(第1-1圖所示)，係設置在與具有洗淨液供應口7之洗淨槽4的側面對向之側面；振動板3，係設置在洗淨槽4之洗淨液供應口7側的底部；超音波振動子2，係設置在振動板3的下面；以及保持部17(第1-1圖所示)，係保持被洗淨物16。另外，還具有將高頻電力供應給超音波振動子2之超音波發振器40(第1-2圖所示)。
    洗淨作為被洗淨物16之例如矽晶圓等的半導體晶圓時，以半導體晶圓的反面與洗淨槽4的底面成為平行的方式配置，再以半導體晶圓的表面位於洗淨液10的液面側的方式載置在保持部17。如第1-2圖所示，在作為被洗淨物16的半導體晶圓載置在保持部17的狀態下，上面視圖上，半導體晶圓以不要位於振動板3上的方式保持。即，如第1-1圖所示，側面視圖上，在振動板3與半導體晶圓的前端部向水平方向偏離的狀態下保持。因而，洗淨槽4內部的縱橫大小，如第1-1圖所示，具有足以浸泡作為被洗淨物16的半導體晶圓之長度，且具有加上振動板3的大小之長度。另外，洗淨槽4的深度例如具有20mm以上。
    設置在洗淨槽4的底部之振動板3係形成為長方形的板狀，其縱向長度例如與板導體晶圓的大小(直徑)大致相同，其橫向長度為40mm。振動板3的表面(振動面)接觸到洗淨槽4的洗淨液10。另外，振動板3的反面藉由黏著安裝有超音波振動子2。振動板3之反面的大小與超音波振動子2之振動面的大小大致相同，作為超音波傳達構件之振動板3與超音波振動子2形成為一體。此外，洗淨槽的大小及振動板的大小等則是根據被洗淨物的大小決定。
    第1-1圖所示的保持部17係設置在洗淨槽4的底部，用以在洗淨液10中保持作為被洗淨物16的半導體晶圓，構成藉由開閉機構等保持半導體晶圓。第1-1圖所示設置在洗淨槽4的側面之洗淨液供應口7係用以將實線箭頭c所示之新的洗淨液10供應到洗淨槽4內，洗淨液10從被設置在外部之洗淨液用槽(未圖示)等供應給洗淨液供應口7。另外，洗淨液排出口8係用以回收從洗淨液供應口7供應的洗淨液10，實線箭頭d所示洗淨液10從洗淨液排出口8回收到被設置在外部之貯存槽(未圖示)等。
    其次，利用第2圖說明由上述構成所組成之超音波洗淨裝置1之經由振動板3從超音波振動子2產生之超音波的照射區域。第2圖為顯示藉由數值計算求出從振動板的振動面向液面方向距離20mm的位置之音壓振幅位準分布的結果之圖。第2圖所示的橫軸表示從振動板3的寬度方向其中一端至另一端之間的距離。此外，音壓振幅位準的數值計算則是振動板3的寬度設成40mm，從超音波振動子2照射之超音波頻率設成740kHz。如第2圖所示，超音波頻率740kHz的音壓振幅位準最大值為振動板3的中心至左右的長度15mm，越接近振動板3的端面則逐漸降低。藉此，從振動板3照射的超音波不會在液體中擴散，再者超音波照射的範圍為從被一體形成在超音波振動子2的振動面之振動板3的振動面延伸的垂線到液面為止所形成的區域。
    如此，超音波振動子2所形成的超音波振動，經由洗淨槽4底部的振動板3向垂直方向(以來自第1-1圖所示之振動板的箭頭表示)在洗淨液10的液面產生。因而，第1圖所示的具體實施例之超音波洗淨裝置1中，超音波振動子2之超音波的照射區域(超音波照射區域)為由洗淨槽4的底部之超音波振動子2的面積及從振動板3至洗淨液10表面的距離所組成之形成長方體的範圍內。即，第1-1圖所示的放大圖中，超音波照射區域為從超音波振動子2的振動面端部延伸到液面為止之由虛線所圍成的區域。此外，超音波振動子2所形成的超音波之照射區域，藉由超音波振動子2之振動面的大小、形狀以及超音波振動子2的安裝角度(超音波振動子2的振動面對液面的夾角)決定。
    從第1-1圖所示的振動板3照射之平面超音波由洗淨液10表面反射，在振動板3與洗淨液10表面之間形成駐波音場。形成在振動板3與洗淨液10表面之間的駐波音場，由於空蝕氣泡會在音壓波腹的位置被捕集並成長，空蝕氣泡消滅易於產生衝擊波。因而，在作為被洗淨物的半導體晶圓位於駐波音場內的情況，承受空蝕氣泡消滅所形成的衝擊波，易於對半導體晶圓的細微圖案造成損傷。再者，半導體晶圓直接承受超音波振動而振動，會對半導體晶圓產生板波，易於對半導體晶圓的細微圖案造成損傷。如此，平面超音波由於會形成駐波音場，引起衝擊波導致空蝕氣泡的消滅，因而本發明應要排除駐波音場的影響，不使被洗淨物位於駐波音場內。
    另一方面，藉由從振動板3照射的平面超音波，使洗淨液10的表面成為自由端而使洗淨液10向上下振動產生表面張力波20(以第1-1圖之液面上的波形表示)。表面張力波20在洗淨液10的液面傳播(以第1圖中的箭頭a、b表示)，形成行進波音場。此外，表面張力波是指將液體的表面張力作為復原力矩在液體表面傳播之波。表面張力波並不存在反射波，因而駐波音場不會形成。
    本發明係被洗淨物16不要位於駐波音場內，保持在不直接照射超音波之洗淨液10的液面附近之液中，對洗淨液10的表面施加超音波以使表面張力波20激起，藉由表面張力波20所形成的音壓將微粒子污染物從被洗淨物16剝離。表面張力波形成行進波音場，此外產生有效除去微粒子的空蝕氣泡。因而，如同習知，使被洗淨物16不要位於由從振動板3照射之平面超音波形成在振動板3與洗淨液10表面之間之駐波音場，故形成在作為被洗淨物16的半導體晶圓上之細微圖案不會受到損傷。
    其次，利用第3圖至第6圖說明驅動位於超音波洗淨裝置底部的超音波振動子之超音波發振器。超音波振動子係藉由超音波發振器施加高頻電力而產生超音波振動。第3圖為顯示超音波發振器的構成之方塊圖。如第3圖所示，超音波發振器40除了有使具有頻率400kHz以上的訊號之發振電路41，還內建有調變來自發振電路41的高頻訊號之振幅調變電路42和頻率調變電路43。還具有：切換電路4，係選擇由400kHz以上的單一頻率所組成的高頻訊號或被調變過的高頻訊號的任一訊號予以輸出；及功率放大器45，係將來自切換電路44的訊號增幅。高頻訊號藉由功率放大器45使電力增幅，作為驅動訊號施加到超音波振動子2。另外，具有進行發振電路41之發振開始或停止的控制、振幅調變電路42之輸入訊號的切換、切換電路44的控制之控制電路46。此外，發振電路41可使頻率400kHz以上的訊號發振，以藉由設定使具有既定的頻率之訊號發振的方式構成。
    由上述構成所組成之超音波發振器40係構成可選擇除由400kHz以上的單一頻率所組成的高頻訊號以外，還可選擇進行振幅調變過之高頻訊號、進行頻率調變過之高頻訊號、頻率調變與振幅調變併用之高頻訊號的任何一個。超音波發振器40係將由單一頻率所組成的高頻訊號或調變過的高頻訊號的任何一個增幅電力，施加到第1圖所示之超音波洗淨裝置1的振動子2。再者，將超音波發振器40的進行振幅調變過之高頻訊號、進行頻率調變過之高頻訊號或頻率調變與振幅調變併用之高頻訊號的任一高頻訊號，用於後述的超音波洗淨機(第8圖所示的超音波洗淨機30)，藉由來自超音波發振器40之調變過的高頻訊號對超音波洗淨機30的振動板17(第8圖所示)激起板波。
    首先，利用第4圖說明高頻訊號的振幅調變。第4-1圖為顯示振幅調變用訊號之波形圖；第4-2圖為顯示從發振電路輸出的訊號之波形圖；第4-3圖為顯示從發振電路輸出的訊號以振幅調變用訊號振幅調變過的高頻訊號之波形圖。振幅調變為因應於振幅調變用訊號的振幅改變高頻訊號的強度(振幅)。第3圖所示的超音波發振器40中，控制電路46係以將從發振電路41輸出之訊號輸入振幅調變電路42的方式設定，再者以輸出來自振幅調變電路42的高頻訊號的方式控制切換電路44。超音波發振器40利用功率放大器45將振幅調變過的高頻訊號增幅電力，使超音波振動子2激起振動。
    第4-1圖所示之振幅調變用訊號的頻率設成fa，振幅調變用訊號的週期則為1/fa(第4-1圖所示)，從第4-2圖所示的發振電路41輸出之訊號的頻率設成fc，訊號的週期則為1/fc(第4-2圖所示)。第4-3圖所示之振幅調變過的高頻訊號由2個頻率成分所組成。即，驅動超音波振動子之高頻訊號的頻率具有從發振電路41輸出之訊號的頻率fc及振幅調變用訊號的頻率fa之頻率成分。
    其次，利用第5圖說明高頻訊號的頻率調變。第5-1圖為顯示頻率調變用訊號之波形圖；第5-2圖為顯示從發振電路輸出的訊號之波形圖；第5-3圖為顯示從發振電路輸出的訊號以頻率調變用訊號頻率調變過的高頻訊號之波形圖。頻率調變用訊號的頻率設成fb，第5-1圖所示之頻率調變用訊號的週期則為1/fb，週期內隨著時間增加輸出位準，之後成為減少的三角波。頻率調變電路43係構成因應於頻率調變用訊號的位準大小控制從發振電路輸出之訊號的頻率予以輸出。當從發振電路41輸出之訊號的頻率設成fc時，藉由頻率調變使訊號變動之調變頻帶設成±fd，則以第5-3圖所示的頻率調變用訊號頻率調變過之高頻訊號，在頻率調變用訊號的位準大小最大時，由fc+fd的頻率所組成，在頻率調變用訊號的位準大小最小時，由fc-fd所組成。另外，在頻率調變用訊號的位準大小為中間值時，則為fc的頻率。
    其次，利用第6圖說明頻率調變與振幅調變併用之調變。第6-1圖為顯示從發振電路輸出的訊號以頻率調變用訊號頻率調變過的高頻訊號之波形圖；第6-2圖為顯示將第6-1圖所示之頻率調變過的高頻訊號經振幅調變的高頻訊號之波形圖。第3圖所示之超音波發振器40中，控制電路46係將振幅調變電路42的輸入訊號切換成來自頻率調變電路43的輸出訊號，再者以輸出來自振幅調變電路42的高頻訊號的方式控制切換電路44。超音波發振器40係將頻率調變及振幅調變過之高頻訊號以功率放大器45增幅電力，使超音波振動子2激起振動。
    如第6-1圖所示，從發振電路輸出的訊號為輸出藉由頻率調變電路43頻率調變過之高頻訊號。此外，從頻率調變電路43輸出的高頻訊號與第5-3圖所示的高頻訊號相同。頻率調變過之高頻訊號經由振幅調變電路42振幅調變。如第6-2圖所示，從切換電路44輸出的高頻訊號成為頻率調變過的高頻訊號再經振幅調變之高頻訊號。藉此，頻率調變過的高頻訊號再經振幅調變，將振幅調變過的高頻訊號增幅電力，可使超音波振動子2激起振動。
    如此，構成超音波發振器40可輸出由400kHz以上的單一頻率所組成之高頻訊號以外，還可輸出進行振幅調變過之高頻訊號、進行頻率調變過之高頻訊號、頻率調變與振幅調變併用之高頻訊號的任何一個。
    其次，說明第1圖所示之超音波洗淨裝置1之被洗淨物的洗淨。如第1圖所示，將被洗淨物16浸泡在裝滿洗淨液10的洗淨槽4內，藉由保持部17將被洗淨物13以接近洗淨液10表面平行配置的方式保持。對黏著在位於洗淨槽4底面的振動板3之超音波振動子2，施加從超音波發振器40增幅電力過之高頻訊號。超音波發振器40之高頻訊號的頻率為400kHz以上，例如使用740kHz的單一頻率之高頻訊號。藉由使超音波振動子2激起振動，從超音波振動子2對洗淨槽4內的洗淨液10產生平面超音波。另外，如第1圖所示，新的洗淨液10由洗淨液供應口7供應到洗淨槽4內，流過被洗淨物16表面後，由洗淨液排出口8排出。平面超音波朝向洗淨液10面施加，在平面超音波的傳播路徑不要配置被洗淨物16。藉此，平面超音波不會受到被洗淨物16遮蔽直接到達洗淨液10表面，在洗淨液10表面激起表面張力波，如第1圖所示，從振動板3正上方的液面向左右的2個方向(以箭頭a、b表示)作為行進波傳播。再者，使表面張力波的傳播方向(第1圖所示的箭頭a)與來自洗淨液供應口7之洗淨液10的供應方向成為相同方向，微粒子污染物會藉由新的洗淨液10流動，防止對被洗淨物16表面再度附著。另外，使洗淨液10面與超音波振動子2儘可能接近，可減少洗淨槽中之洗淨液10的量。此外，也可使用進行振幅調變過之高頻訊號、進行頻率調變過之高頻訊號或頻率調變與振幅調變併用之高頻訊號的任一高頻訊號，以取代超音波發振器40之單一頻率的高頻訊號。藉由調變過之高頻訊號對平面超音波的音壓產生強弱，藉此也會對調變過的音壓產生強弱，可提高洗淨效率。
    如此，本發明的超音波洗淨裝置1係被洗淨物以位於前述超音波振動子在前述洗淨槽內的超音波照射區域外保持，不直接對被洗淨物照射超音波，對洗淨液的液面施加超音波而使表面張力波激起振動，藉由表面張力波所形成的音壓使微粒子污染物從被洗淨物剝離，可抑制對被洗淨基板的損傷，此外可進行高清淨度的洗淨。
    其次，利用第7圖說明本發明的第1實施具體例之其他超音波洗淨裝置。第7圖為顯示本發明的第1實施具體例之其他超音波洗淨裝置的構成的包括一部分放大圖之剖面圖。此外，與第1圖相同的部分使用相同的圖號，有關構成的詳細說明則省略。第1圖所示的超音波洗淨裝置1係以振動板3和超音波振動子2與洗淨液10的液面成平行的方式配置，不過第7圖所示的超音波洗淨裝置1則是以對液面傾斜配置振動板3和超音波振動子2。
    如第7圖所示，藉由對液面傾斜配置振動板3和超音波振動子2，從振動板3照射到液面之超音波，從振動板3表面向成直角的方向傳播。因而，超音波振動子2所形成的超音波之照射區域(超音波照射區域)為從振動板3的振動面至直角地到液面為止所形成的區域。即，第7圖所示之放大圖中，超音波的照射區域為從超音波振動子2的振動面端部延伸到液面為止之由虛線所圍繞的區域。第7圖所示的超音波洗淨裝置1與第1圖所示的超音波洗淨裝置1同樣，被洗淨物16不要位於超音波照射區域。藉此，被洗淨物16不會直接承受超音波振動，因而不會對被洗淨物16本身產生板波，作為被洗淨物16之半導體晶圓的細微圖案不會受到損傷。另外，如第7圖所示，藉由對液面傾斜配置振動板3和超音波振動子2，表面張力波的傳播方向為箭頭e所示的一個方向，表面張力波不會傳播到全周，因而可有效率地產生表面張力波。如此，將第7圖所示之超音波的射入角度θ設定成來自超音波振動子的平面超音波不會直接碰到被洗淨物的角度，可將表面張力波的傳播方向限制在一個方向，可有效利用超音波能量。
    其次，使用第8圖說明超音波洗淨裝置的底部之振動面配置在整個底部而在被洗淨物的反面形成洗淨液流之超音波洗淨裝置。第8圖為顯示振動板已配置在整個底部之超音波洗淨裝置的構成的包括一部分放大圖之的剖面圖。此外，與第1圖相同的部分使用相同的圖號，有關構成的詳細說明則省略。如第8圖所示，超音波洗淨裝置30具有：洗淨槽4，係貯存洗淨液10；洗淨液供應口7，係設置在洗淨槽4的側面；洗淨液排出口8，係設置在與具有洗淨液供應口7之洗淨槽4的側面對向之側面；振動板31，係設置在洗淨槽之洗淨液供應口7側的底部；超音波振動子2，係設置在振動面31的下面；以及保持部17，係保持被洗淨物16。振動板31配置在整個底部，位於振動板31的背面之超音波振動子2設置在洗淨槽4之洗淨液供應口7的底部。藉此，設置在洗淨槽4的底部之振動板3的大小與第1圖所示的超音波洗淨裝置1不相同。此外，第8圖所示的超音波振動子2與第1圖所示的超音波振動子2相同形狀、相同大小，洗淨槽4的安裝位置也相同。另外，超音波振動子2所形成之超音波的照射區域(超音波照射區域)為從超音波振動子2的振動面31延伸的垂線到液面為止所形成的區域。即，第8圖所示的放大圖中，超音波照射區域為從超音波振動子2的振動面端部延伸到液面為止之由虛線所圍繞的區域。
    第8圖所示的超音波洗淨裝置30中，以藉由第3圖所示的超音波發振器40進行調變過之高頻訊號，驅動被設置在配置於洗淨槽4的整個底部的振動板31之超音波振動子2。即，超音波發振器40中，輸出進行振幅調變過之高頻訊號、進行頻率調變過之高頻訊號、頻率調變與振幅調變併用之高頻訊號的任何一個。此外，進行調變過之高頻訊號成分以對從超音波振動子2的振動面31延伸的垂線到液面為止所形成的區域照射超音波的方式作用，另一方面，進行調變過之低頻訊號成分(振幅調變用訊號的頻率、頻率調變用訊號的頻率)以對振動面31激起板波的方式作用。
    藉由以進行調變過之高頻訊號驅動超音波振動子2，可防止微粒子污染物再度附著到被洗淨物16的表面和反面。即，將超音波振動子2配置在具有與被洗淨基板相同程度面積之振動板31的端部，以比740kHz高頻訊號還低很多的頻率，例如2kHz的振幅調變用訊號，對740kHz的高頻訊號進行振幅調變，以與振幅調變用訊號的頻率相同的頻率，對振動板31激起板波22，作為第8圖所示的行進波(第8圖的振動板上所示的波形)傳播。此時，在接觸振動板31的表面之洗淨液10產生流動力。使板波22所形成之行進波的傳播方向(第8圖所示的箭頭f)與洗淨液10的供應方向相同，使微粒污染物藉由新的洗淨液10流動，可防止再度附著到被洗淨物16的表面或反面。
    如同第8圖所示的超音波洗淨裝置30，藉由以全面覆蓋被洗淨物也就是半導體晶圓的反面的方式設置振動板31，可對接觸半導體晶圓之洗淨液10全面施予流動力。藉此，可防止從被洗淨物也就是半導體晶圓剝離之微粒子污染物再度附著，達到洗淨處理的效率化。
    此外，第8圖所示的超音波洗淨裝置30中，也是與第1圖所示的超音波洗淨裝置1同樣，被洗淨物16以位於超音波振動子2在洗淨槽4內的超音波照射區域外的方式保持，不會直接對被洗淨物16照射超音波，所以可抑制對被洗淨基板造成損傷。
    其次，說明超音波洗淨裝置之表面張力波的超音波音壓的測定。此外，表面張力波的超音波音壓係使用雷射都卜勒(laser Doppler)測速儀(LDV)，對洗淨槽內的水平方向和垂直方向進行測定。第9-1圖為顯示超音波洗淨裝置之超音波音壓的測定部位之圖；第9-2圖為顯示洗淨槽的水平方向的超音波音壓之振動速度振幅的測定結果之圖。如第9-1圖所示，超音波洗淨裝置30的洗淨槽4內的水平方向係在使以振動元件端部的位置為0mm，洗淨液10面附近向水平方向使第9-1圖所示的水平移動距離w改變而到240mm的範圍進行測定。依據第9-2圖所示的測定結果，在洗淨液10表面附近，到水平距離240mm為止的範圍，振動速度振幅值為0.15m/s以上，藉此得知表面張力波所形成的超音波音壓存在，足以在被洗淨物16的大小為200mm程度的範圍傳播。
    其次利用第10圖說明洗淨槽內的垂直方向之超音波音壓的測定。第10-1圖為顯示超音波洗淨裝置之超音波音壓的測定部位之圖；第10-2圖為顯示洗淨槽的垂直方向的超音波音壓之振動速度振幅的測定結果之圖。如第10-1圖所示，超音波洗淨裝置30的洗淨槽4內之垂直方向的超音波音壓係在振動板表面的位置為0mm，向垂直方向往第10-1圖所示的水平方向水平距離L為70mm的位置，使垂直移動距離d改變而到液面為止之20mm的範圍進行測定。第10-2圖為顯示垂直方向的超音波音壓之振動速度振幅的測定結果之圖。如第10-2圖所示，超音波音壓的振動速度振幅從振動板31的表面朝向液面表面上升，在離液面10mm程度的範圍振動速度振幅大體上成為一定值。藉此，表面張力波所形成超音波音壓存在於由液面至少20mm程度的範圍，在這範圍內配置被洗淨物以達到較高的洗淨效果。
    另外，本發明的超音波洗淨裝置係在振動板的左右兩端設置超音波振動子2，以使可對應於半導體晶圓等基板的大型化。以下，利用第11圖至第13圖說明可洗淨大型的半導體晶圓等之超音波洗淨裝置。
    如第9-2圖所示，依據由振動速度振幅的測定結果，從超音波振動子的端面至存在基板等的被洗淨物之200mm程度的範圍為止，達到足以除去微粒子的振動速度振幅。然而，振動速度振幅隨著水平方向距離變長，緩慢減少。因而，對於直徑450mm的晶圓基板等更大半導體晶圓的基板會有達不到足以除去微粒子的振動速度振幅之可能性。於是，在振動板的左右兩端設置超音波振動子，以使對大尺寸的基板也可進行充分的洗淨。
    第11圖為顯示已在振動板的左右兩端配置超音波振動子之超音波洗淨裝置的構成之圖。此外，與第8圖相同的部分使用相同的圖號，有關構成的詳細說明則省略。如第11圖所示，在超音波洗淨裝置31之振動板31的左右兩端設置超音波振動子2L、2R。另外，洗淨槽4具有可洗淨直徑450mm半導體晶圓等之大口徑基板的大小。另外，在洗淨槽4其中一方的側面設置洗淨液供應口7，在洗淨槽4另一方的側面設置洗淨液排出口8。此外，驅動位於振動板31的左端之超音波振動子2L時，洗淨槽4的左側面成洗淨液供應口7，洗淨槽4的右側面成為洗淨液排出口8。另外，驅動位於振動板31的右端之超音波振動子2R時，洗淨槽4的右側面成為洗淨液供應口7，洗淨槽4的左側面成為洗淨液排出口8。
    第12圖為顯示驅動第11圖所示之超音波洗淨裝置的超音波振動子之超音波發振器的構成之方塊圖。此外，與第3圖相同的部分使用相同的圖號，有關構成的詳細說明則省略。如第12圖所示，超音波洗淨裝置50係將功率放大器45的輸出作為輸入，設有具有2個系統的輸出之選擇電路51。在從選擇電路之2個系統其中一方的輸出連接振動板31左端的超音波振動子2L，在選擇電路另一方的輸出連接振動板31右端的超音波振動子2R。控制電路46係構成控制電路51，以使選擇電路51之2個系統的輸出其中一方，將來自功率放大器45的高頻電力供應給超音波振動子。
    第13-1圖為顯示驅動位於振動板左側的超音波振動子時超音波的傳播之圖。藉由以超音波發振器50驅動位於振動板31的左側之超音波振動子2L，則如第13-1圖所示，超音波洗淨裝置31所產生的表面張力波20和板波22，從箭頭所示的左方朝右方傳播。此時，洗淨槽的左側面成為洗淨液供應口7，洗淨槽4的右側面成為洗淨液排出口8，使洗淨液10流與表面張力波20和板波22的傳播方向變成相同，可防止微粒子再度附著。
    第13-2圖為顯示驅動位於振動板右側的超音波振動子時超音波的傳播之圖。藉由以超音波發振器50驅動位於振動板31的右側之超音波振動子2R，則如第13-2圖所示，超音波洗淨裝置31所產生的表面張力波20和板波22，從箭頭所示的左方朝右方傳播。此時，洗淨槽4的右側面成為洗淨液供應口7，洗淨槽4的左側面成為洗淨液排出口8，使洗淨液10流與表面張力波22與板波22的傳播變成相同，可防止微粒子再度附著。
    如此，左右交替地切換藉由超音波發振器驅動超音波振動子2，可互補振動速度振幅的減少。另外，洗淨液流也同樣左右交替地切換，達到防止微粒子再度附著。藉此，即使對大型基板等仍足以進行微粒子的除去洗淨。
    第11圖所示的超音波洗淨裝置為在振動板的左右兩端配置超音波振動子之構成，不過不只是在振動板的左右兩端配置超音波振動子之構成，例如配置成為環狀形狀的超音波振動子之構成、在振動板的前後左右端配置超音波振動子之構成，配置成為U形狀的超音波振動子之構成。如此，超音波振動子也可平面視圖上以圍繞前述被洗淨物的方式配置單數或複數個。此外，這些超音波振動子也是被洗淨物以位於從超音波振動子的振動面延伸的垂線到液面為止所形成的區域外的方式保持。
    其次，針對第8圖所示的超音波洗淨裝置，確認藉由超音波所產生的表面張力波所形成之超音波洗淨的有效性並進行洗淨處理的結果作說明。超音波洗淨則是被洗淨物16使用由直徑200mm的矽所組成之半導體晶圓，洗淨液10使用純水。超音波振動子2為寬度40mm長度160mm的陶瓷製的平面板，以頻率740kHz輸出150W的超音波。另外，超音波發振器的設定為選擇頻率調變與振幅調變併用的高頻訊號，頻率調變頻寬±5kHz，振幅調變頻率2kHz，高頻訊號的頻率740kHz±5kHz。純水的流量設成31(公升)/min。
    首先，在洗淨前之半導體晶圓的表面塗佈作為污染物質之微粒子狀的氮化汐(Si3N4)。微粒子的大小為直徑0.12μm以上，微粒子數大約為25000個。如第14-1圖所示，塗佈污染物質後的半導體晶圓以黑點表示。將此狀態的半導體晶圓安置在超音波洗淨裝30的保持部17，藉由超音波發振器40使超音波振動子2激起振動，進行30秒的超音波洗淨。超音波洗淨裝後，計算殘留在半導體晶圓上的微粒子。
    第14圖為顯示洗淨前後的微粒子分布之圖；第14-1圖為顯示洗淨前半導體晶圓之微粒子的分布之圖；第14-2圖為顯示洗淨後半導體晶圓之微粒子的分布之圖。此外，微粒子以黑點表示。依據超音波洗淨後計算微粒子的結果，被除去92%的微粒子。
    依據以上的結果，除去洗淨前塗佈在半導體晶圓上之微粒子的90%，藉此確認本發明之使用表面張力波之超音波洗淨裝置及超音波洗淨方法的有效性。 <第2實施具體例>
    其次，說明被洗淨物一面移動一面進行洗淨之第2實施具體例的超音波洗淨裝置。第15圖為顯示本發明的第2實施具體例之超音波洗淨裝置的構成之剖面圖。第1圖和第3圖所示的超音波洗淨裝置1為被洗淨物16浸泡在洗淨槽予以固定進行洗淨，不過第15圖所示的超音波洗淨裝置33則為被洗淨物一面移動一面進行洗淨。此外，與第1圖相同的部分使用相同的圖號，有關構成的詳細說明則省略。
    如第15圖所示，超音波洗淨裝置33具有：洗淨槽36，係儲存洗淨液10；收納部34，係收納被設置在洗淨槽4的下部之被洗淨物16；洗淨液供應口37，係設置在收納部34的底部以及噴嘴35，係噴出高溫的氮氣。如第15圖所示，洗淨槽36的底部成為大致V形狀，底部的中心與收納部34成一體形成。位於洗淨槽36的左右之底部為朝向底部的中心成為傾斜，傾斜的兩面設有振動板3。在振動板3的背面藉由黏著安裝有超音波振動子2。藉此，超音波振動子2及從振動板照射的超音波對液面具有射入角度。藉由驅動超音波振動子2，從振動板3對液面放射超音波，利用波面產生表面張力波。第15圖所示之超音波的射入角度θ設定成來自超音波振動子的平面超音波不會直接碰到被洗淨物的角度，可使表面張力波的傳播方向朝一個方向，即，向被洗淨物16所在位置的方向傳播，因而可有效活用表面張力波。
    第15圖所示的超音波洗淨裝置係來自超音波振動子的平面超音波對整個液面照射，被洗淨物以位於從超音波振動子的表面延伸的垂線到液面為止所形成的區域外的方式保持。因而，只有液面的表面張力波會對被洗淨物的表面產生作用。
    此外，第16圖中之處理裝置的構成係在室300的上部兩端以對液面傾斜的方式配置超音波振動變換器304。然而，第16圖中之處理裝置則是在液中使從超音波振動變換器304照射的能量(超音波能量)直接接觸被洗淨物，藉由平面超音波進行洗淨。因而，本發明的超音波洗淨裝置的構成和作用與第16圖所示的處理裝置並不相同。
    第15圖所示的超音波洗淨裝置33，藉由輸送裝置(未圖示)使被洗淨物16也就是半導體晶圓浸泡在收納部34和洗淨槽36，一面施加超音波一面藉由輸送裝置慢慢向上拉起。另外，與向上拉起的同時將高溫的氮氣供應至半導體晶圓的面並除去洗淨液加以乾燥。藉此，從收納部34的洗淨液供應口7供應的洗淨液10，從洗淨槽36的上部緣溢流而流到外部。
    如此，第15圖所示的超音波洗淨裝置33，藉由被設置在洗淨槽36的下部之收納部34垂直收納被洗淨物，因而很少的設置空間即可。另外，被洗淨物16一面移動一面洗淨，因而不受被洗淨物16的大小影響，即使對大型的半導體晶圓仍可洗淨。
    如同以上所述，依據本發明，被洗淨物以位於前述超音波振動子在前述洗淨槽內的超音波照射區域外的方式保持，不直接對被洗淨物照射超音波，進行洗淨，可抑制對被洗淨基板的損傷。
    另外，對接近被洗淨物的表面之洗淨液表面施加超音波使表面張力波激起，藉由表面張力波所形成的音壓，將微粒子污染物從被洗淨物剝離，可對高精密度的基板等進行高清淨度的洗淨。
    另外，朝向與表面張力波的傳播方向相同的方向供應洗淨液，可防止從被洗淨物剝離的微粒子再度附著。
    另外，被洗淨物以與洗淨槽之洗淨液的液面成平行地位於前述洗淨液的液面附近的方式保持，被洗淨物至前述洗淨液的液面之距離設成10mm以下，洗淨槽的深度可以很淺，故可以少量的洗淨液洗淨。
    另外，本發明係表面張力波沿著被洗淨物的表面傳播到整個被洗淨物，因而不需要在洗淨中使被洗淨物移動之移動手段，可簡化超音波洗淨裝置。
    本發明只要不脫離其本質上的特性可以多種的形式予以具體化。因而，上述的實施具體例為說明上的例子，當然並非限制本發明。
    1、30、31、33‧‧‧超音波洗淨裝置
    2、2L、2R‧‧‧超音波振動子
    3、31‧‧‧振動板
    4、36‧‧‧洗淨槽
    7、37‧‧‧洗淨液供應口
    8‧‧‧洗淨液排出口
    10‧‧‧洗淨液
    16‧‧‧被洗淨物(半導體晶圓)
    17‧‧‧保持部
    20‧‧‧表面張力波
    22‧‧‧板波
    34‧‧‧收納部
    35‧‧‧噴嘴
    40、50‧‧‧超音波發振器
    41‧‧‧發振電路
    42‧‧‧振幅調變電路
    43‧‧‧頻率調變電路
    44‧‧‧切換電路
    45‧‧‧功率放大器
    46‧‧‧控制電路
    51‧‧‧選擇電路
    第1圖為顯示本發明的第1實施具體例之超音波洗淨裝置的構成之圖；第1-1圖為從超音波洗淨裝置的正面看的包括一部分放大圖之剖面圖；第1-2圖為顯示超音波洗淨裝置的構成之平面圖。
    第2圖為顯示藉由數值計算求出從振動板的振動面向液面方向距離20mm的位置之音壓振幅位準分布的結果之圖。
    第3圖為顯示超音波發振器的構成之方塊圖。
    第4-1圖為顯示振幅調變用訊號之波形圖；第4-2圖為顯示從發振電路輸出的訊號之波形圖；第4-3圖為顯示從發振電路輸出的訊號以振幅調變用訊號振幅調變過的高頻訊號之波形圖。
    第5-1圖為顯示頻率調變用訊號之波形圖；第5-2圖為顯示從發振電路輸出的訊號之波形圖；第5-3圖為顯示從發振電路輸出的訊號以頻率調變用訊號頻率調變過的高頻訊號之波形圖。
    第6-1圖為顯示從發振電路輸出的訊號以頻率調變用訊號頻率調變過的高頻訊號之波形圖；第6-2圖為顯示將第6-1圖所示之頻率調變過的高頻訊號經振幅調變的高頻訊號之波形圖。
    第7圖為顯示本發明的第1實施具體例之其他超音波洗淨裝置的構成的包括一部分放大圖之剖面圖。
    第8圖為顯示振動板已配置在整個底部之超音波洗淨裝置的構成的包括一部分放大圖之剖面圖。
    第9-1圖為顯示超音波洗淨裝置之超音波音壓的測定部位之圖；第9-2圖為顯示洗淨槽的水平方向的超音波音壓之振動速度振幅的測定結果之圖。
    第10-1圖為顯示超音波洗淨裝置之超音波音壓的測定部位之圖；第10-2圖為顯示洗淨槽的垂直方向的超音波音壓之振動速度振幅的測定結果之圖。
    第11圖為顯示已在振動板的左右兩端配置超音波振動子之超音波洗淨裝置的構成之圖。
    第12圖為顯示驅動第11圖所示之超音波洗淨裝置的超音波振動子之超音波發振器的構成之方塊圖。
    第13-1圖為顯示驅動位於振動板左側的超音波振動子時超音波的傳播之圖；第13-2圖為顯示驅動位於振動板右側的超音波振動子時超音波的傳播之圖。
    第14圖為顯示洗淨前後的微粒子分布之圖；第14-1圖為顯示洗淨前半導體晶圓之微粒子的分布之圖；第14-2圖為顯示洗淨後半導體晶圓之微粒子的分布之圖。
    第15圖為顯示本發明的第2實施具體例之超音波洗淨裝置的構成之剖面圖。
    第16圖為顯示日本專利文獻4中揭載之處理裝置的構成之剖面圖。
    1‧‧‧超音波洗淨裝置
    2‧‧‧超音波振動子
    3‧‧‧振動板
    4‧‧‧洗淨槽
    7‧‧‧洗淨液供應口
    8‧‧‧洗淨液排出口
    10‧‧‧洗淨液
    16‧‧‧被洗淨物
    17‧‧‧保持部
    20‧‧‧表面張力波
    30‧‧‧超音波洗淨機
    权利要求:
    Claims (17)
    [1] 一種超音波洗淨裝置，其特徵為，具有：洗淨槽，係貯存洗淨液，浸泡被洗淨物；超音波振動子，係產生超音波振動；振動板，係將前述超音波振動子的超音波振動加諸在前述洗淨液；以及超音波發振器，係驅動前述超音波振動子；前述被洗淨物係以位於從前述超音波振動子的振動面延伸的垂線到液面為止所形成的區域外的方式保持，進行被洗淨物的洗淨。
    [2] 如申請專利範圍第1項之超音波洗淨裝置，其中，前述被洗淨物保持在來自前述超音波振動子的超音波之平面波不會直接碰到的位置。。
    [3] 如申請專利範圍第1項之超音波洗淨裝置，其中，驅動前述超音波振動子藉由前述振動板朝向前述洗淨槽之洗淨液的液面施加超音波，使表面張力波在前述洗淨液的液面產生。。
    [4] 如申請專利範圍第3項之超音波洗淨裝置，其中，藉由前述洗淨液的液面之前述表面張力波進行被洗淨物的洗淨。
    [5] 如申請專利範圍第3或4項之超音波洗淨裝置，其中，以前述洗淨液朝向與前述表面張力波的傳播方向相同的方向流動的方式供應洗淨液。
    [6] 如申請專利範圍第1項之超音波洗淨裝置，其中，前述被洗淨物至前述洗淨液的液面之距離為10mm以下。
    [7] 如申請專利範圍第1項之超音波洗淨裝置，其中，前述被洗淨物係以與前述洗淨槽之洗淨液的液面成平行地位於前述淨液的液面附近的方式保持。
    [8] 如申請專利範圍第1項之超音波洗淨裝置，其中，前述超音波振動子及前述振動板係以與前述洗淨液的液面成平行的方式設置。
    [9] 如申請專利範圍第1項之超音波洗淨裝置，其中，前述超音波振動子及前述振動板係以對洗淨液的液面具有斜度的方式設置。
    [10] 如申請專利範圍第1項之超音波洗淨裝置，其中，將前述振動板配置在前述洗淨槽的整個底部，驅動超音波振動子之前述超音波發振器係具備發振電路、振幅調變電路以及頻率調變電路，以藉由前述振幅調變電路及前述頻率調變電路中至少1個調變電路將前述發振電路之具有頻率400kHz的訊號調變之訊號，使前述超音波振動子激起振動，在前述洗淨液中照射超音波進行洗淨。
    [11] 如申請專利範圍第1項之超音波洗淨裝置，其中，前述超音波振動子係平面視圖上，以圍繞前述被洗淨物的方式配置單數或複數個。
    [12] 一種超音波洗淨方法，係藉由超音波振動將被洗淨物洗淨，該超音波洗淨方法之特徵為具備：超音波振動產生手段，係具有產生超音波振動之超音波振動子；及洗淨槽，係安裝有前述超音波振動產生手段，貯存洗淨液，浸泡被洗淨物；前述被洗淨物係以位於從前述超音波振動產生手段之前述超音波振動子的振動面延伸的垂線到液面為止所形成的區域外的方式保持，進行被洗淨物的洗淨。
    [13] 如申請專利範圍第12項之超音波洗淨方法，其中，前述被洗淨物係保持在來自前述超音波振動產生手段之前述超音波振動子的超音波之平面波不會直接碰到的位置。
    [14] 如申請專利範圍第12項之超音波洗淨方法，其中，前述驅動超音波振動產生手段之前述超音波振動子而朝向前述洗淨槽之洗淨液的液面施加超音波，使表面張力波在前述洗淨液的液面產生。
    [15] 如申請專利範圍第14項之超音波洗淨方法，其中，藉由前述洗淨液的液面之前述表面張力波進行被洗淨物的洗淨。
    [16] 如申請專利範圍第14或15項之超音波洗淨方法，其中，以前述洗淨液朝向與前述表面張力波的傳播方向相同的方向流動的方式供應洗淨液。
    [17] 如申請專利範圍第12項之超音波洗淨方法，其中，平面視圖上，以圍繞前述被洗淨物的方式配置單數或複數個。
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